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Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 A
Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 ASKU: CIRFDS4435BZ

$ 99.00

Descripción El FDS4435BZ es un mosfet de canal P de -30 V diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. Es un MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que...

Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432
Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432SKU: TRAFDS6673BZ

$ 49.00 $ 80.00

Descripción Transistor mosfet FDS6673BZ   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales...

Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181
Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181SKU: TRAFDS8928A

$ 45.00 $ 90.00

Descripción El transistor FDS8928A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185
Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185SKU: TRAFDS8958A

$ 11.00

Descripción El FDS8958A es un mosfet de canal doble N de 30 V y canal P que ha sido  diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild...

Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399
Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399SKU: TRAFDS8984

$ 30.00

Descripción El transistor FDS8984 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece...

Transistor FDS9435A Mosfet Pequeña Señal CH-P 30 V - 5.3 A 38C7185
Transistor FDS9435A Mosfet Pequeña Señal CH-P 30 V - 5.3 A 38C7185SKU: TRAFDS9435A

$ 25.00 $ 48.00

Descripción El FDS9435A es un MOSFET canal P de -30V PowerTrench® ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia...

Transistor FGH40N60UFTU Mosfet IGBT Potencia 600 V 80 A
Transistor FGH40N60UFTU Mosfet IGBT Potencia 600 V 80 ASKU: TRAFGH40N60UFTU

$ 105.00

Descripción El transistor bipolar FGH40N60UFTU de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor FGPF30N45T Mosfet IGBT TO-220 450 V 30 A
Transistor FGPF30N45T Mosfet IGBT TO-220 450 V 30 ASKU: TRAFGPF30N45T

$ 54.00

Descripción El transistor FGPF30N45T bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor FGPF4536TU Mosfet IGBT TO-220 CH-N 360 V 50 A
Transistor FGPF4536TU Mosfet IGBT TO-220 CH-N 360 V 50 ASKU: TRAFGPF4536TU

$ 35.00

Descripción El transistor FGPF4536TU bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor FGPF70N30 Mosfet IGBT TO-220 CH-N 300 V 70 A
Transistor FGPF70N30 Mosfet IGBT TO-220 CH-N 300 V 70 ASKU: TRAFGPF70N30

$ 80.00 $ 95.00

Descripción El transistor FGPF70N30  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FKV550 MOSFET TO-220 CH N 50 V 50 A
Transistor FKV550 MOSFET TO-220 CH N 50 V 50 ASKU: TRAFKV550

$ 32.00

Descripción Transistor FKV550  es un  mosfet  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   Cambio rápido Baja resistencia de encendido Capacidad de energía de avalancha garantizada Diodo de protección de compuerta incorporado contra descargas...

Transistor FKV575 Mosfet TO220 CH-N 50 V 75 A
Transistor FKV575 Mosfet TO220 CH-N 50 V 75 ASKU: TRAFKV575

$ 42.00

Descripción Transistor mosfet FKV575  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FN1016 Potencia
Transistor FN1016 PotenciaSKU: TRAFN1016

$ 39.00

Descripción Transistor FN1016 potencia Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.  Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,...

Transistor FN651 Potencia
Transistor FN651 PotenciaSKU: TRAFN651

$ 34.00

Descripción Transistor FN651 potencia es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1​ El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en...

Transistor FP1016 Potencia
Transistor FP1016 PotenciaSKU: TRAFP1016

$ 39.00

Descripción Transistor FP1016 potencia Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.  Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,...

Transistor FQA11N90 Mosfet Potencia CH-N 900 V 11.4 A
Transistor FQA11N90 Mosfet Potencia CH-N 900 V 11.4 ASKU: TRAFQA11N90

$ 62.00

Descripción El transistor FQA11N90  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 A
Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 ASKU: TRAFQA18N50

$ 69.00

Descripción El transistor FQA18N50V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 A
Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 ASKU: TRAFQA24N50F

$ 98.00

Descripción El FQA24N50 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...

Transistor FQA28N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 33 A
Transistor FQA28N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 33 ASKU: TRAFQA28N15

$ 61.00

Descripción El transistor FQA28N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQA36N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 36 A
Transistor FQA36N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 36 ASKU: TRAFQA36N15

$ 39.00 $ 50.00

Descripción El transistor FQA36N15 de efecto de campo de potencia en modo de canal N se producen utilizando tecnología DMOS, banda plana patentada de Fairchild. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta...