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Descripción

El transistor FGPF4536TU bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El transistor FGPF4536TU Mosfet utiliza la nueva tecnología IGBT de Trench, la nueva serie de IGBT de Fairchild ofrece el rendimiento óptimo para las aplicaciones PDP en las que no se detectan bajas pérdidas de conducción y de conmutación.

 

  • Alta capacidad de corriente
  • Bajo voltaje de saturación: VCE (sat)   = 1.59 V @ Ic  = 50 A
  • Alta impedancia de entrada
  • Cambio rápido
  • Aplicaciones: Sistemas PDP donde las bajas pérdidas de conducción y conmutación son esenciales

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de colector a emisor VCES: 360 V
  • Voltaje de puerta a emisor VGE: ±30 V
  • Corriente continua de colector IC (Tc=25°C): 50 A
  • Corriente de colector pulsada ICM (Tc=25°C): 220 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 28.4 W
  • Temperatura de operación mínima:  -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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