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Transistor FGH40N60UFTU Mosfet IGBT Potencia 600 V 80 A

Transistor FGH40N60UFTU Mosfet IGBT Potencia 600 V 80 A

TRAFGH40N60UFTU

$ 105.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar FGH40N60UFTU de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de  alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

  • Capacidad de alta corriente
  • Voltaje de baja saturación: V CE (sat) = 1,8 V @ I C = 40 A
  • Alta impedancia de entrada 
  • Cambio rápido
  • RoHS
  • Aplicaciones:  Inversor solar, UPS, soldadora, PFC

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal-N
  • Voltaje colector emisor VCES: 600 V
  • Voltaje compuerta emisor VGES: ± 20 V
  • Corriente colector Ic: 80 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 120 A
  • Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 116 W
  • Temperatura de operación mínima: -40°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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