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Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181

Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181

TRAFDS8928A

$ 45.00 MXN

Precio Regular: $ 90.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FDS8928A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FDS8928A es un MOSFET con modo de mejora de doble canal N / P con alta densidad  y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia del estado ON y proporcionar un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión, como la administración de energía de la computadora portátil y otros circuitos alimentados por batería, donde la conmutación, la pérdida rápida de potencia en línea y la resistencia a los transitorios son necesarias.


  • Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
  • Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, computadoras y periféricos Informáticos

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N y canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS en canal P: -20 V
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS en canal N: 30 V
  • Voltaje de puerta a fuente en canal P: -8 V
  • Voltaje de puerta a fuente en canal N: 8 V
  • Corriente continua de drenaje Id en canal P: -4 A
  • Corriente continua de drenaje Id en canal N: 5.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada en canal P: -20 A
  • Corriente de drenaje pulsada en canal N: 20 A
  • Disipación de potencia Pd: 1.6 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.025 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 4.5 V
  • Tensión umbral Vgs: 670 mV
  • Temperatura de funcionamiento mínima:  -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
  • Encapsulado: SOIC
  • Número de pines: 8
  • Modelo: 38C7181

     

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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