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Semiconductores
$ 39.00
Descripción Transistor BUW11 potencia diseñado para su uso en aplicaciones industriales de alta tensión y conmutación rápida. Alto voltaje Alta velocidad de conmutación Aplicaciones: Conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 850 V Voltaje colector emisor VCEO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 9 V Corriente...
$ 35.00
$ 46.00
Descripción Transistor BUW11AF potencia diseñado para su uso en aplicaciones industriales de alta tensión y conmutación rápida. Alto voltaje Alta velocidad Aplicaciones: Convertidores, inversores, reguladores de conmutación y sistemas de control de motores Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 1000 V Tensión colector emisor VCEO: 450 V Voltaje...
$ 35.00
$ 47.00
Descripción Transistor BUW12 potencia diseñado para su uso en aplicaciones industriales de alta tensión y conmutación rápida. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 9 V Corriente de colector IC: 8 A Disipación de potencia Tc=25°C PC: 125 W Temperatura de...
$ 25.00
Descripción Transistor BUW84 de media potencia de alto voltaje, alta velocidad. Aplicaciones: Convertidores, inversores, reguladores de conmutación, sistemas de control de motores, aplicaciones de conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 400 V Corriente de colector IC: 2 A Disipación de potencia de colector PC: 50...
Agotado
$ 35.00
$ 46.00
Descripción El BUX48A es un transistor de base epitelial de silicio NPN con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia. Alta ganancia Alta corriente Alta disipación Diodo colector-emisor integrado antiparalelo Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje...
$ 35.00
Descripción Transistor BUX84 TO220 tipo "T" interruptor de alta velocidad. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 400 V Corriente de colector Ic: 2 A Disipación de potencia Tc=25°C: 40 W Temperatura de operación máxima: 150°C Encapsulado: TO-220 3 pines Sustituto NTE2313 Documentación Datasheet
$ 33.00
Descripción Un BUZ103 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Calificación avalancha dv/ret clasificado Bajo en resistencia...
$ 20.00
$ 26.00
Descripción El transistor BUZ104 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 25.00
Descripción El transistor BUZ11 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 50.00
$ 99.00
Descripción El transistor BUZ355 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 18.00
Descripción El transistor BUZ42 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 25.00
Descripción El BUZ71A es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Clasificación de avalancha Gran capacidad de corriente Aplicaciones: ...
$ 30.00
Descripción El BUZ80 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Clasificación de avalancha Gran capacidad de corriente...
$ 205.00
Descripción El transistor bipolar CT60AM18C de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 15.00
Descripción Transistor mosfet D4184 de pequeña señal con baja impedancia térmica y velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de convertidores de impulso LED blancos, sistemas automotrices y circuitos de conversión DC / DC industriales. Tecnología de trinchera de bajo rDS (encendido) Baja impedancia térmica Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: ...
$ 26.00
Descripción Transistor D45H11 Tipo T para la amplificación de potencia de propósito general y la conmutación, tales como etapas de salida o controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCE (sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A Velocidades...
$ 92.00
Descripción Transistor DS1233D-5 pequeña señal diseñado para su uso como detector de voltaje. Información Básica Tipo de reset: Activo en bajo, drenador abierto Número de supervisores/monitores: 1 Tensión umbral: 4.625 V Tensión alimentación mínima: 1.2 V Tensión alimentación máxima: 5.5 V Tiempo de retardo: 350 ms Temperatura de funcionamiento mínima:...
$ 5.00
$ 12.00
Descripción Transistor DTA114 pequeña señal digital con 2 resistencias integradas de 10 kBias. Resistencia de polarización incorporada (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ) Aplicaciones: Inversor, conmutación, driver e interfaz Información Básica Polaridad: PNP Suministro de voltaje Vcc: -50V Voltaje de entrada mínimo Vin: -40 V Voltaje de entrada máximo Vin:...
$ 8.00
Descripción Transistor DTA124 pequeña señal digital con 2 resistencias integradas de 22 kBias . Resistencia de polarización incorporada (R1 = 22kΩ, R2 = 22kΩ) Las resistencias de polarización integradas permiten la configuración de un circuito inversor sin conectar resistencias de entrada externas Las resistencias de polarización consisten en resistencias...
$ 16.00
Descripción Transistor DTA144 de pequeña señal, digital con 2 resistencias integradas de 47 kBias. Resistencia de polarización incorporada (R1 = 47kΩ, R2 = 47kΩ) Aplicaciones: Inversor, conmutación, driver e interfaz información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: 50 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO:...