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Transistor BUZ80A Mosfet TO220 CH-N 800 V 3 A

Transistor BUZ80A Mosfet TO220 CH-N 800 V 3 A

TRABUZ80A

$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El BUZ80 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.

 

  • Modo de mejora
  • Clasificación de avalancha
  • Gran capacidad de corriente
  • Aplicaciones:  Aplicaciones conmutación de alta corriente y velocidad, fuentes de alimentación en modo interruptor (SMPS),  iluminación, inversores DAC para equipos de soldadura y suministro de potencia ininterrumpida (UPS

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje máximo VDSS: 800 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID: 3 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 12 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 75 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 2.7 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2387   2SK1460   2SK1943

    Documentación

     

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