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Transistor BUZ103 Mosfet TO220 CH-N 50 V 40 A

Transistor BUZ103 Mosfet TO220 CH-N 50 V 40 A

TRABUZ103

$ 33.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Un BUZ103 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.

 

  • Modo de mejora
  • Calificación avalancha
  • dv/ret clasificado
  • Bajo en resistencia
  • Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje máximo VDSS: 50 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID: 40 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 160 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 120 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.03 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2975    IRFZ40PBF     IRFZ42    

    Documentación

    Datasheet

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