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Transistor BUZ355 Mosfet Potencia CH-N 800 V 6 A

Transistor BUZ355 Mosfet Potencia CH-N 800 V 6 A

TRABUZ355

$ 50.00 MXN

Precio Regular: $ 99.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor BUZ355 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Modo de mejora
  • Clasificación de avalancha
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDSS: 60 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGSS: ± 20 V
  • Corriente drenaje ID: 15 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 60 A
  • Disipación de potencia PD (TC=25°C): 25 W
  • Resistencia de disparo RDS (on) typ: 0.9 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-218
  • 3 pines

Sustituto

NTE2377 

Documentación

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