Inicio

Semiconductores

Transistor FQPF12N60 Mosfet TO220 CH N 600 V 5.8 A
Transistor FQPF12N60 Mosfet TO220 CH N 600 V 5.8 ASKU: TRAFQPF12N60

$ 28.00

Descripción El transistor FQPF12N60  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQPF16N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 11.6 A
Transistor FQPF16N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 11.6 ASKU: TRAFQPF16N15

$ 19.00

El transistor FQPF16N15  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...

Transistor FQPF5N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.5 A
Transistor FQPF5N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.5 ASKU: TRAFQPF5N60C

$ 37.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...

Transistor FQPF8N60C Mosfet TO220 CH N 600 V 7.5 A
Transistor FQPF8N60C Mosfet TO220 CH N 600 V 7.5 ASKU: TRAFQPF8N60C

$ 22.00

Descripción El transistor FQPF8N60C  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A
Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 ASKU: TRAFQPF9N50

$ 25.00

Descripción El FQPF9N50 es un mosfet QFET® de canal N de 500V,  de potencia que se produce utilizando la banda planar propia de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de...

Transistor FQT4N20LTF Mosfet Pequeña Señal CH-N 200 V .85 A
Transistor FQT4N20LTF Mosfet Pequeña Señal CH-N 200 V .85 ASKU: TRAFQT4N20LTF

$ 14.00 $ 20.00

Descripción Transistor mosfet FQT4N20LTF de pequeña señal SMD  diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha. Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y...

Transistor FS3KM-10 Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 A
Transistor FS3KM-10 Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 ASKU: TRAFS3KM10

$ 28.00 $ 36.00

Descripción El transistor FS3KM-10 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FS70UM-06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 A
Transistor FS70UM-06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 ASKU: TRAFS70UM06

$ 19.00

Descripción El transistor FS70UM-06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 A
Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 ASKU: TRAFSM75N75

$ 29.00

Descripción El transistor  FSM75N75 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FZT1149A Pequeña Señal
Transistor FZT1149A Pequeña SeñalSKU: TRAFZT1149A

$ 78.00 $ 90.00

Descripción El FZT1149A es un transistor bipolar de alta ganancia de potencia media planar de silicio PNP que ofrece una disipación de potencia de 2.5W y una corriente continua de colector -4A. Corriente de pulso 10 A Alta ganancia Baja tensión de saturación Aplicaciones: Administración de potencia, industrial  Información Básica...

Transistor GT30F122C Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 120 A
Transistor GT30F122C Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 120 ASKU: TRAGT30F122C

$ 35.00

Descripción El GT30F122C es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N  disponible en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de...

Transistor GT30F124C Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 200 A
Transistor GT30F124C Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 200 ASKU: TRAGT30F124C

$ 33.00

Descripción El GT30F124C es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla...

Transistor GT30G122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600V 20 A
Transistor GT30G122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600V 20 ASKU: TRAGT30G122

$ 36.00

Descripción El GT30G122 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N  disponible en clasificacion de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de...

Transistor GT30J124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 200 A
Transistor GT30J124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 200 ASKU: TRAGT30J124

$ 36.00

Descripción El GT30J124 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla...

Transistor GT45F122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 45 A
Transistor GT45F122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 45 ASKU: TRAGT45F122

$ 29.00

Descripción El GT45F122 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla...

Transistor H1061 TO220
Transistor H1061 TO220SKU: TRAH1061

$ 24.00

Descripción Transistor H1061 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuencia. Velocidad media de conmutación Alta disipación de potencia Aplicaciones: Amplificación baja frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO:  100 V Voltaje colector emisor VCEO:  80 V Voltaje emisor base VEBO: ...

Transistor H669A Media Potencia
Transistor H669A Media PotenciaSKU: TRAH669A

$ 9.00

Descripción Transistor H669A media potencia. Información Básica Polaridad del transistor: NPN   Voltaje colector emisor  VCEO: 180 V Voltaje colector base VCBO:  160 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector Ic: 1.5 A Disipación de potencia colector Pc (Tc=25°C): 1 W Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura...

Transistor H772 Media Potencia
Transistor H772 Media PotenciaSKU: TRAH772

$ 9.00

Descripción Transistor H772 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de audio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -30 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente de colector IC: -3 A ...

Transistor H882 Media Potencia
Transistor H882 Media PotenciaSKU: TRAH882

$ 29.00 $ 46.00

Descripción Transistor H882 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de radio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 40 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector IC: 3 A ...

Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 A
Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 ASKU: TRAHGTG12N60A4D

$ 265.00

Descripción El HGTG12N60A4D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. Esta serie SMPS es miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. IGBT combina las mejores características de MOSFET y transistores bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de...