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Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 A

Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 A

TRAHUFA75339P3

$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor HUFA75339P3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El HUFA75339P3 de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia STripFET II de canal N de 60 V que minimiza la capacitancia de entrada y compuerta de carga, por lo que lo hacen un   interruptor  avanzado y de alta eficiencia para convertidores DC-DC,  para telecomunicaciones y aplicaciones informáticas y destinados a cualquier aplicación con baja carga de carga por unidad.


  • Capacidad excepcional dv / dt
  • Avalancha probada
  • Drenaje a voltaje de fuente (Vds) de 60V
  • Voltaje de la puerta a la fuente de ± 15V
  • Corriente continua de drenaje (Id) de 60A
  • Disipación de potencia (Pd) de 110W
  • Baja resistencia al estado de 12mohm en Vgs 10V
  • Rango de temperatura de la junta de trabajo de -65 ° C a 175 ° C
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo, dispositivos portátiles, industrial  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 60 A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 60 V
  • Tensión Vgs de medición Rd(on): 5 V
  • Tensión umbral Vgs: 1 V
  • Disipación de potencia Pd: 110 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.016 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

HUFA75343      IRF1010NPBF    IRF1010E

Documentación

Datasheet

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