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Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A

Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A

TRAHGTG30N60A4

$ 230.00 MXN

Precio Regular: $ 260.00
Precio incluye IVA

Descripción

El HGTG30N60A4 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan en frecuencias.

 
  • Baja tensión de saturación
  • Bajas pérdidas de conducción debidas a baja resistencia en el estado
  • 58ns tiempo de caída a 125 ° C temperatura de unión
  • Tiempo de caída de 60ns con TJ = 125°C
  • Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor, industrial  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de colector emisor  V(br) ceo: 600 V
  • Tensión  de saturación colector emisor Vce(on): 1.8 V
  • Corriente de colector DC: 75 A
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 463 W
  • Temperatura mínima de operación: -55°C
  • Temperatura máxima de operación: 150°C
  • Encapsulado: TO-247
  • 3 Pines

Sustituto

HGTG40N60A4

Documentación

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