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Transistor HGTG20N50C1D Mosfet IGBT Potencia 500 V 26 A

Transistor HGTG20N50C1D Mosfet IGBT Potencia 500 V 26 A

TRAHGTG20N50C1D

$ 84.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El HGTG20N50C1D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiper veloz anti paralelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida de conducción en estado de un transistor bipolar. La caída de tensión en estado activo mucho más baja varía solo de forma moderada entre 25 ° C y 150 ° C. El diodo utilizado en anti paralelo con el IGBT es el RHRP3060. El IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan a frecuencias moderadas donde las pérdidas de conducción bajas son esenciales. Fairchild ofrece una amplia cartera de dispositivos IGBT por varias tecnologías de proceso de 300V a más de 1200V. El proceso de fabricación optimizado da como resultado un mejor control y repetibilidad de la estructura del lado superior, lo que da como resultado especificaciones más estrictas y un mejor rendimiento EMI. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.


  • Operación sin enclavamiento
  • Tiempo de caída típico <500ns
  • Alta impedancia de entrada
  • Baja pérdida de conducción
  • Con diodo antiparalelo
  • tRR  <60ns
  • Aplicaciones: Controles del motor de CA y CC, alimentación suministros y controladores para solenoides, relés y contratistas

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente  VDSS: 500 V
  • Voltaje compuerta fuente VGSS: ± 20 V
  • Corriente drenaje  ID: 26 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 35 A
  • Disipación potencia  PD (TC=25°C): 75 W
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-247
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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