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Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 A
TRAHGTG20N60C3D
Descripción
El HGTG20N60B3D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida de conducción en estado de un transistor bipolar. La caída de tensión en estado activo mucho más baja varía solo de forma moderada entre 25 ° C y 150 ° C. El diodo utilizado en antiparalelo con el IGBT es el RHRP3060. El IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan a frecuencias moderadas donde las pérdidas de conducción bajas son esenciales. Fairchild ofrece una amplia cartera de dispositivos IGBT por varias tecnologías de proceso de 300V a más de 1200V. El proceso de fabricación optimizado da como resultado un mejor control de la estructura del lado superior, lo que da como resultado especificaciones más estrictas y un mejor rendimiento EMI. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- 140 ns a TJ = 150°C tiempo de caída
- 45 A, 600 V, TC = 25°C
- 600 V capacidad de conmutación SOA
- Tiempo de caída típico. 08 ns en TJ = 150°C
- Clasificación de cortocircuito
- Baja pérdida de conducción
- Diodo Anti-Paralelo ultrarápido
- Aplicaciones: Control motor de CA y CC, fuentes de alimentación y controladores para solenoides, relés y contactores
Información Básica
- Polaridad de transistor: Canal N
- Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
- Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V
- Corriente continua de colector IC: 45 A
- Corriente de colector pulsada ICM: 300 A
- Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 164 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-247
- Número de pines: 3
Sustituto
NTE2949
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