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Transistor FS3KM-10 Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 A

Transistor FS3KM-10 Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 A

TRAFS3KM10

$ 28.00 MXN

Precio Regular: $ 36.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FS3KM-10 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FS3KM-10 es un mosfet de modo de mejora QFET® de canal N de 500V. El MOSFET de potencia se produce utilizando la banda planar propia de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico basado en la topología de medio puente. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

  • Aplicaciones: Convertidor SMPS, DC-DC, cargador de batería, alimentación, suministro de impresora, copiadora, HDD, FDD, TV, VCR,computadora personal

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje ID: 3 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 9 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 44 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 3.4 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima:  150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

 Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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