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Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 A

Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH P 30 V 8.8 A

CIRFDS4435BZ

$ 99.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El FDS4435BZ es un mosfet de canal P de -30 V diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. Es un MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que combina carga de compuerta pequeña (QG), pequeña carga de recuperación inversa (Qrr) y diodo del cuerpo de recuperación inversa suave, que contribuye a la conmutación rápida para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA / CC. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (figura de mérito (QGxRDS (ON))) de estos dispositivos es 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo del cuerpo blando del nuevo MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito de amortiguamiento o reemplazar el voltaje más alto. El MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los picos de voltaje indeseados en la rectificación síncrona. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
  • Rango de VGSS extendido (-25V) para aplicaciones de batería
  • Nivel de protección HBM ESD de ± 3.8kV típico
  • Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
  • Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo

Información Básica

  • Polaridad: Canal-P
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: - 30 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -2.1 V
  • Intensidad drenador continua Id: -8.8 A
  • Resistencia de activación Rds (on): 0.016 ohms
  • Disipación de potencia Pd: 2.5 W
  • Temperatura máxima de operación: 150°C
  • Encapsulado: SOIC
  • 8 Pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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