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Transistor FDP20N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 20 A

Transistor FDP20N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 20 A

TRAFDP20N50

$ 378.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet FDP20N50F de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El FDP20N50 es un MOSFET de canal N de tecnología PowerTrench adecuado para rectificación síncrona, circuito de protección de batería, fuentes de alimentación ininterrumpida e inversor micro solar. es un MOSFET de canal N de tecnología PowerTrench® adecuado para rectificación síncrona, circuito de protección de batería, fuentes de alimentación ininterrumpida e inversor micro solar. 

  • Capacidad de UIS (pulso único y pulso repetitivo)
  • 100% de avalancha probada
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo,
    TV LCD / LED / PDP, iluminación, fuente de alimentación ininterrumpida, fuente de alimentación de CA-CC

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 20 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 80A
  • Corriente de avalancha IAR: 20 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 250 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.020 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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