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Transistor FDP33N25 Mosfet TO220 CH-N 250 V 33 A

Transistor FDP33N25 Mosfet TO220 CH-N 250 V 33 A

TRAFDP33N25

$ 75.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor mosfet FDP33N25 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


  • 33 A, 250 V, RDS (encendido) = 0.094 Ω @VGS = 10 V
  • Carga de puerta baja (36.8 nC On)
  • Bajo Crss (típico 39 pF)
  • Cambio rápido
  • 100 % de avalancha probado
  • Mejora de la capacidad dv / dt
  • Aplicaciones: Es adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia y corrección de factor de potencia activa

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
      • Voltaje de drenaje a fuente: 250 V
        • Voltaje de puerta a fuente: 30 V
          • Corriente de drenaje: 33 A
            • Corriente de drenaje pulsada: 132 A
              • Corriente de avalancha: 33 A
                • Potencia de disipación: 235 W
                • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):  0.077 Ω
                  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
                  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
                    • Encapsulado:TO-220
                      • Número de pines: 3

                        Sustituto

                        IXTP50N25T

                        Documentación

                        Datasheet

                        Wikipedia

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