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Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023

Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH N 150 V 79 A 67R2023

TRAFDB2532

$ 80.00 MXN

Precio Regular: $ 145.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FDB2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El FDB2532 es un MOSFET de canal N de tecnología PowerTrench® adecuado para rectificación síncrona, circuito de protección de batería, fuentes de alimentación ininterrumpida e inversor micro solar.


  • Baja carga del molinero
  • Diodo de cuerpo bajo Qrr
  • Capacidad de UIS (pulso único y pulso repetitivo)
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo, circuito de protección de batería de rectificación síncrona, accionamientos de motor y fuentes de alimentación ininterrumpida,  micro inversor solar

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Corriente continua de drenaje Id: 79 A
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 150 V
  • Resistencia de activación Rds (on): 16 mOhms
  • Voltaje Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Voltaje de umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 310 W
  • Temperatura mínima de operación: -55°C
  • Temperatura máxima de operación: 175°C
  • Encapsulado: TO-263AB
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet


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