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$ 14.00
Descripción Transistor DTC102 pequeña señal. Información Básica Voltaje colector base VCBO: 50 V Corriente colector Ic: 100 mA Encapsulado SPT 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 9.00
$ 13.00
Descripción Transistor DTC102M pequeña señal. Información Básica Voltaje colector base VCBO: 30 V Corriente colector Ic: 100 mA Encapsulado TO-92M 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 21.00
Descripción Transistor DTC103 pequeña señal. Información Básica Encapsulado SPT 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 9.00
Descripción Transistor DTC103M pequeña señal. Información Básica Voltaje colector base: VCBO: 40 V Corriente colector Ic:100 mA Encapsulado TO-92M 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 11.00
Descripción Transistor DTC114 pequeña señal SOT-23, transistor digital con red de resistencia de polarización monolítica diseñada para reemplazar un solo dispositivo y su red de polarización de resistencia externa. El transistor de resistencia de polarización contiene un solo transistor con una red de polarización monolítica que consta de dos resistencias,...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC124 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje de colector emisor V (br) ceo: 50 V Intensidad colector continua Ic: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC143 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Intensidad de colector continua Ic: 100 mA Voltaje de colector emisor V(br)ceo: 50 V Resitencia básica de entrada R1: 4.7 kohms Resistor R2 base emisor: 4.7 kohms Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto No Aplica Documentación...
$ 8.00
Descripción Transistor DTC144 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 50 V Corriente colector: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto NTE2359 Documentación Datasheet
$ 8.00
$ 15.00
Descripción Transistor EM7056 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de etapas de salida de video en receptores de televisión. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 160 V Voltaje colector emisor VCEO: 160 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector Ic: 300 mA Temperatura de...
$ 30.00
Descripción Transistor ET382 Darligton es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y al poder estar todo...
$ 63.00
Descripción El FCD7N60TM es un MOSFET de super-unión de alto voltaje SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de balance de carga para una excelente resistencia ON y un menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación...
$ 95.00
$ 150.00
Descripción Transistor mosfet FDA59N25 de potencia UniFET TMMOSFET es Fairchild Semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología de banda plana y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia en el estado y proporcionar mejor rendimiento de conmutación y mayor avalancha energía. Esta familia de dispositivos es adecuada...
$ 80.00
$ 145.00
Descripción El transistor FDB2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDB2532 es un MOSFET de canal N...
$ 65.00
$ 78.00
Descripción El transistor FDD6637 es un MOSFET PowerTrench de canal P de -35V que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia de estado y mantener la carga de la puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild se compone de...
$ 50.00
Descripción Transistor mosfet FDD8447L de pequeña señal de tecnología PowerTrench® de 40 V de canal N que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión más...
$ 34.00
Descripción El transistor FDP12N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 378.00
Descripción Transistor mosfet FDP20N50F de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 139.00
Descripción El transistor FDP2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDP2532 es un MOSFET de canal...
$ 75.00
Descripción El transistor mosfet FDP33N25 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales...
$ 145.00
Descripción El transistor FDPF8N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El Transistor FDPF8N50NZ Mosfet ha sido especialmente diseñada...