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Transistor FDPF8N50NZ Mosfet TO220 CH-N 500V 8A 25AC9559

Transistor FDPF8N50NZ Mosfet TO220 CH-N 500V 8A 25AC9559

TRAFDPF8N50NZ

$ 145.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FDPF8N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El Transistor FDPF8N50NZ Mosfet ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y avalancha. Estos dispositivos son adecuados para suministros de energía de modo de conmutación de alta eficiencia y corrección de factor de potencia activa.

  • Cambio rápido
  • 100% Avalancha Probado
  • Mejorar la capacidad dv / dt
  • Capacidad mejorada de ESD
  • RoHS
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente: 25 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 8 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 122 A
    • Corriente de avalancha: 8 A
    • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 130 W
    • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on) typ: 0.077 Ω
    • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
    • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
    • Encapsulado:TO-220F
    • Número de pines: 3
    • 25AC9559

    Sustituto

    Sin aplicar

    Documentación

    Datasheet

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