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Transistor FDP12N50FT Mosfet TO220 CH-N 500 V 11.5 A

Transistor FDP12N50FT Mosfet TO220 CH-N 500 V 11.5 A

TRAFDP12N50FT

$ 34.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FDP12N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El FDP12N50FT es un MOSFET de canal N de tecnología PowerTrench adecuado para rectificación síncrona, circuito de protección de batería, fuentes de alimentación ininterrumpida e inversor micro solar.

  • RDS (ON) = 0.59Ω (típico) @ VGS = 10V, ID = 6A
  • Carga de puerta baja (Typ. 21nC)
  • Crss baja (tipo 11pF)
  • Conmutación rápida
  • Probado contra avalancha 100 %
  • Mejorar la capacidad dv / dt RoHS
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 11.5 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 46 A
    • Corriente de avalancha IAR: 11.5 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 42 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.59 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2928   2SK2642

    Documentación

    Datasheet

    Wikipedia

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