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Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185

Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185

TRAFDS8958A

$ 11.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El FDS8958A es un mosfet de canal doble N de 30 V y canal P que ha sido  diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que combina carga de puerta pequeña (QG), pequeña carga de recuperación inversa (Qrr) y diodo del cuerpo de recuperación inversa suave, que contribuye a la conmutación rápida para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA / CC. Emplea una estructura de puerta blindada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (figura de mérito (QGxRDS (ON))) de estos dispositivos es 66% más bajo que el de la generación anterior. El rendimiento del diodo del cuerpo blando del nuevo MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito de amortiguamiento o reemplazar el voltaje más alto. El MOSFET necesita un circuito porque puede minimizar los picos de voltaje indeseados en la rectificación síncrona. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.



  • Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
  • Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
  • Aplicaciones: De baja tensión y alimentadas por batería, donde se requieren bajos niveles de pérdida de potencia en línea y conmutación rápida

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N y canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente Vds en canal P: -30 V
  • Voltaje de drenaje a fuente Vds en canal N: 30 V
  • Voltaje de puerta a fuente en canal P: -20 V
  • Voltaje de puerta a fuente en canal N: 20 V
  • Corriente continua de drenaje Id en canal P: -5 A
  • Corriente continua de drenaje Id en canal N: 7 A
  • Corriente de drenaje pulsada en canal P: -20 A
  • Corriente de drenaje pulsada en canal N: 20 A
  • Disipación de potencia Pd: 2 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.019 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 1.9 V
  • Temperatura de funcionamiento mínima:  -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima:  150 °C
  • Encapsulado: SOIC
  • Número de pines: 8
  • Modelo: 34C0185

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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