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Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 A

Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 A

TRAFDP2532

$ 139.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FDP2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

 

El FDP2532 es un MOSFET de canal N PowerTrench® adecuado para rectificación asíncrona, circuito de protección de batería, fuentes de alimentación ininterrumpida y micro inversor solar.
  • Carga miller baja
  • Diodo de cuerpo de baja Qrr
  • Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo, convertidores DC / DC y UPS Off-Line, arquitecturas de potencia distribuida y VRMs, interruptor primario para sistemas de 24 V y 48 V, rectificador síncrono de alto voltaje, inyección directa / Sistemas de inyección diesel, control de carga automotriz 42 V, sistemas electrónicos de tren de válvulas

    Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDSS: 150 V
    • Voltaje de compuerta a fuente: 20 V
    • Corriente de drenaje Id: 79 A
    • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 310 W
    • Tensión Vgs de medición RDS (on): 10 V
    • Tensión umbral Vgs: 4 V
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.014 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado:TO-220
    • Número de pines: 3

        Sustituto

        No Aplica

        Documentación

        Datasheet

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        Comentarios