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Semiconductores

Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 A
Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 ASKU: TRARFP70N06

$ 45.00

Descripción El transistor RFP70N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH3044

$ 50.00

Descripción Transistor RJH3044 es un  IGBT de conmutación de potencia de alta velocidad para aplicaciones de cambio de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad: tr = 80 ns típ., Tf = 150 ns Baja tensión de saturación de colector a emisor: VCE (sat) = 1,5 V típ Diodo...

Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH30E2

$ 35.00

Descripción El transistor bipolar RJH30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo  que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2

$ 64.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2DPPM0

$ 33.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2DPP-MO de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de compuerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPD

$ 95.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPPM0

$ 34.00

Descripción El transistor bipolar  RJP30H1DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30H2A

$ 26.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H2A de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30H2

$ 89.00 $ 98.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H2DPK-M0  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP63F3DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 40 A
Transistor RJP63F3DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 40 ASKU: TRARJP63F3DPPM0

$ 38.00

Descripción El transistor bipolar RJP63F3DPP-M0  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP63K2DPP-M0-T2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 35 A
Transistor RJP63K2DPP-M0-T2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 35 ASKU: TRARJP63K2DPPM0T2

$ 46.00

Descripción El transistor bipolar RJP63K2DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor S2055N Potencia
Transistor S2055N PotenciaSKU: TRAS2055N

$ 34.00

Descripción Transistor de potencia S2055N diseñado para su uso en aplicaciones de salida horizontal con diodo damper. Alto voltaje, alta velocidad Bajo voltaje de saturación del colector Diodo damper incorporado Aplicaciones:  Salida horizontal de TV en color, regulador de conmutación de TV en color Especificaciones Voltaje colector base VCBO: 1500...

Transistor S8050D UTC Pequeña Señal 25 V 0.5 A = SS8050D
Transistor S8050D UTC Pequeña Señal 25 V 0.5 A = SS8050DSKU: TRAS8050D

$ 3.00

Descripción Transistor S8050D pequeña señal diseñado para su uso para aplicaciones de amplificación  de salida de 2W de radios portátiles  en operación Push-pull Clase B. Complementario al SS8550 Aplicaciones: Alta corriente, audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector-base VCBO: 40 V Voltaje emisor-colecto VCEO: 25 V Voltaje emisor-base...

Transistor S8550C Pequeña Señal
Transistor S8550C Pequeña SeñalSKU: TRAS8550C

$ 3.00

Descripción El transistor S8550C de pequeña señal  diseñado para su uso en aplicaciones de salida de amplificación   de 2W para radios portátiles de clase B y operación Push-Pull. Complemento MPS8050 Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -25 V Voltaje...

Transistor S9012H Pequeña Señal
Transistor S9012H Pequeña SeñalSKU: TRAS9012H

$ 4.00

Descripción Transistor S9012H pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general. Alta disipación de potencia: 710 mW Baja capacitancia del colector Baja tensión de saturación colector-emisor Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Conmutación y amplificación de uso general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO:...

Transistor S9013 Pequeña Señal
Transistor S9013 Pequeña SeñalSKU: TRAS9013

$ 4.00

Descripción Transistor S9013 pequeña seña diseñado para su uso como  amplificador de salida de 1W de radios potables en la operación Push-pull de clase B. Alta disipación de potencia total  (PT = 625mW) Alta corriente de colector  (IC = 500mA) Excelente linealidad hFE Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje...

Transistor S9014 Pequeña Señal
Transistor S9014 Pequeña SeñalSKU: TRAS9014

$ 8.00 $ 12.00

Descripción Transistor S9014 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de pre-amplificador de bajo nivel y bajo ruido. Alta disipación de potencia total (PT = 450mW) Alto hFE y buena linealidad Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 50 V Voltaje colector emisor VCEO: 45 V...

Transistor SFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A
Transistor SFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 ASKU: TRASFP50N06

$ 39.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...

Transistor SGSIF444 Potencia
Transistor SGSIF444 PotenciaSKU: TRASGSIF444

$ 50.00

Descripción Transistor SGSIF444 potencia fabricado con tecnología de mesada multiepitaxial para un alto rendimiento rentable y utiliza una estructura de emisor hueco para mejorar las velocidades de conmutación y esta  diseñado para su uso en  aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como fuentes de alimentación y circuitos de deflexión horizontal...

Transistor SGSIF461 Potencia
Transistor SGSIF461 PotenciaSKU: TRASGSIF461

$ 57.00 $ 78.00

Descripción Transistor SGSIF461 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de administración de potencia de alta velocidad de conmutación. Baja saturación dinámica 70 kHZ velocidad de conmutación Aplicaciones: Fuente de alimentación conmutada Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 850 V Voltaje colector emisor VCEO: 400 V...