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Transistor SPP04N60C2 Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.5 A

Transistor SPP04N60C2 Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.5 A

TRASPP04N60C3

$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPP04N60C2  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Carga de compuerta ultra baja
  • Avalancha periódica calificada
  • Extremo dv/ret clasificado
  • Capacidades ultra bajas efectivas
  • Transconductancia mejorada
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VGS: 600 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 4.5 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 50 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.85 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

MTP6N60E   STP6NA60

Documentación

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