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Transistor SPB11N60C3 Mosfet Pequeña Señal CH-N 650 V 11 A

Transistor SPB11N60C3 Mosfet Pequeña Señal CH-N 650 V 11 A

TRASPB11N60C3

$ 150.00 MXN

Precio Regular: $ 190.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPB11N60C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
  •  Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Mejor RDS (encendido)
  • Carga de puerta ultrabaja
  • Tasa de avalancha periódica
  • Tasa de dv / dt extrema
  • Capacidad de corriente pico alta
  • Transconductancia mejorada

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 11 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 33 A
  • Corriente de avalancha IAR: 11 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 125 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.38 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-263
  • Modelo: 47W3752

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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