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Transistor SPP21N50C3 Mosfet TO220 CH-N 560 V 21 A

Transistor SPP21N50C3 Mosfet TO220 CH-N 560 V 21 A

TRASPP21N50C3

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor SPP21N50C3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Mejor RDS (activado) en todo el mundo en TO 220
  • Carga de compuerta ultra baja
  • Clasificación por avalancha periódica
  • Dv / dado extremo
  • Capacidades efectivas ultra bajas
  • Transconductancia mejorada
  • Aplicaciones: Industrial, conmutación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 560 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 560 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C):  21 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 208 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ (T=25°C): 0.19 ohm
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Encapsulado TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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