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Transistor SPP12N50C3 Mosfet TO220 CH-N 560 V 11.6 A

Transistor SPP12N50C3 Mosfet TO220 CH-N 560 V 11.6 A

TRASPP12N50C3

$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El SPP12N50 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de la serie E adecuado para informática, iluminación, electrónica de consumo, fuentes de alimentación conmutadas y aplicaciones de topología conmutada dura.


  • Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qg
  • Capacitancia de entrada baja (CISS)
  • Conmutación reducida
  • Reducción de pérdidas de conducción
  • Carga de puerta baja (Qg)
  • Energía de avalancha clasificada (UIS)
  • Libre de halógeno
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, iluminación lED, electrónica de consumo, dispositivos portátiles

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 560 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 560 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 11.6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 34.8 A
  • Corriente de avalancha IAR: 11.6 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ (T=25°C): 0.34 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

SVF18N60F   IRFB16N60L   SPA15N60C3   SPP15N60C3

Documentación

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