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Transistor SPA07N60C3 Mosfet TO220 CH-N 650 V 7.3 A

Transistor SPA07N60C3 Mosfet TO220 CH-N 650 V 7.3 A

TRASPA07N60C3

$ 99.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPA07N60C3  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Carga de compuerta ultra baja
  • Avalancha periódica calificada
  • Extremo dv/ret clasificado
  • Capacidades ultra bajas efectivas
  • Transconductancia mejorada
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 650 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 7.3 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 21.9 A
    • Corriente de avalancha IAR: 7.3 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 32 W
    • Resistencia de activación RDS(ON) typ: 0.54 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    SPP08N80C3

    Documentación

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