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Transistor SPP20N60C3 Mosfet TO220 CH-N 600 V 20.7 A

Transistor SPP20N60C3 Mosfet TO220 CH-N 600 V 20.7 A

TRASPP20N60C3

$ 36.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPP20N60C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Carga de compuerta ultra baja
  • Avalancha periódica clasificada
  • Extremo dv / dt clasificado
  • Alto pico de capacidad de corriente
  • Ttransconductancia mejorada
  • Aplicaciones: Conmutación, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VGS: 650 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 20.7 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 208 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ (T=25°C):  0.16 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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