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Transistor SPD06N80C3 Mosfet Pequeña Señal CH-N 800 V 6 A

Transistor SPD06N80C3 Mosfet Pequeña Señal CH-N 800 V 6 A

CIRSPD06N80C3

$ 55.00 MXN

Precio Regular: $ 68.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Carga de compuerta ultra baja
  • Avalancha periódica clasificada
  • dv / dt extrema
Especificaciones
  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 800 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 18 A
  • Corriente de avalancha IAR: 6 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 83 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.9 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Transistor Tipo de caja: TO-252
  • 3 pines
  • Modelo: 33P8208

Documentación

Wikipedia

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