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Transistor SPP03N60S5 Mosfet TO220 CH-N 600 V 3.2 A

Transistor SPP03N60S5 Mosfet TO220 CH-N 600 V 3.2 A

TRASPP03N60S5

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPP03N60S5  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 
  • Modo de mejora
  • Velocidad de conmutación rápida
  • Carga de puerta ultra baja
  • 100% probado contra avalanchas
  • Valor extremo dv / dt
  • Capacitancia efectiva ultra baja
  • Transconductancia mejorada
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 3.2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 5.7 A
  • Corriente de avalancha IAR: 3.2 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 38 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ (T=25°C): 1.26 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

SPP03N60C3

Documentación

Datasheet

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