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Semiconductores

Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A
Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 ASKU: TRAIRG4PC50

$ 93.00

Descripción El IRG4PC50UPBF es un IGBT de 600 V ultrarápido entre 8 y 60 kHz. Proceso de conmutación duro optimizado para alta frecuencia de operación. El diseño IGBT de generación 4 proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. Diodos HEXFRED optimizados para...

Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 A
Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 ASKU: TRAIRG7R313U

$ 39.00

Descripción Transistor IRG7R313U  IGBT diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel. Las características adicionales son una temperatura...

Transistor IRG7S313U Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 330 V 40 A
Transistor IRG7S313U Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 330 V 40 ASKU: TRAIRG7S313U

$ 49.00

Descripción Este IGBT IRG7S313U está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel. El transistor bipolar de puerta...

Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 A
Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 ASKU: TRAIRGB10B60KD

Agotado $ 75.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor IRGB15B60KDPF Mosfet IGBT TO220 600 V 31 A
Transistor IRGB15B60KDPF Mosfet IGBT TO220 600 V 31 ASKU: TRAIRGB15B60KDPBF

$ 75.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor IRGIB15B60KD1 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 19 A
Transistor IRGIB15B60KD1 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 19 ASKU: TRAIRGIB15B60KD1

$ 59.00

Descripción El transistor IRGIB15B60KD1 bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A
Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 ASKU: TRAIRGP4086

$ 150.00

Descripción El transistor bipolar IRGP4086 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRLML2502TRPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 20 V 4.2 A
Transistor IRLML2502TRPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 20 V 4.2 ASKU: TRAIRLML2502TRPBF

$ 7.00

Descripción Transistor mosfet  IRLML2502TRPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLR024NPBF

$ 32.00 $ 43.00

Descripción El transistor IRLR024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLU024NP

$ 63.00

Descripción El transistor  IRLU024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 18 A
Transistor IRLZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 18 ASKU: TRAIRLZ24N

$ 26.00

Descripción El IRLZ24NPBF es un mosfet hexfet de 55 V de canal único  que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible a la conexión  por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo reforzado es lo que...

Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 A
Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 ASKU: TRAIRLZ34N

$ 77.00

Descripción El IRLZ34PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia extremadamente baja  a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de...

Transistor IRLZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 47 A
Transistor IRLZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 47 ASKU: TRAIRLZ44N

$ 43.00

Descripción Transistor mosfet IRLZ44N Tipo T  es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N de 55 V que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible. La rápida velocidad de conmutación y su diseño lo hacen eficiente para una amplia variedad de aplicaciones. 175 ° C Temperatura de funcionamiento Clasificación...

Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 A
Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 ASKU: TRAIXGH30N60B

$ 153.00

Descripción El transistor bipolar IXGH30N60B  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IXTP50N25T Mosfet TO220 CH-N 250 V 50 A
Transistor IXTP50N25T Mosfet TO220 CH-N 250 V 50 ASKU: TRAIXTP50N25T

$ 130.00 $ 155.00

Descripción El transistor IXTP50N25T  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 A
Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 ASKU: TRAIXTP56N15T

$ 95.00

Descripción Transistor mosfet IXTP56N15T Tipo T, de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...

Transistor IXTP80N10T Mosfet TO220 CH-N 100 V 80 A
Transistor IXTP80N10T Mosfet TO220 CH-N 100 V 80 ASKU: TRAIXTP80N10T

$ 33.00

Descripción El transistor IXTP80N10T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor J108A JFET Pequeña Señal CH-N 25 V 30 mA 350 mW
Transistor J108A JFET Pequeña Señal CH-N 25 V 30 mA 350 mWSKU: TRAJ108A

$ 60.00

Descripción Transistor JFET J108A pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógicas o digitales en las que es obligatoria una resistencia muy baja. Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDSon a voltaje de compuerta cero (<8Ω para J108) Aplicaciones: Interruptores analógicos,...

Transistor J111 NFET Pequeña Señal 35 V 50 mA
Transistor J111 NFET Pequeña Señal 35 V 50 mASKU: TRAJ111

$ 9.00

Descripción Transistor FET J111 pequeña señal diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. 50 mA corriente de puerta delantera 625 mW Disipación total del dispositivo Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDS activado a voltaje...

Transistor J112 JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA 350 mW
Transistor J112 JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA 350 mWSKU: TRAJ112

Agotado $ 9.00 $ 14.00

Descripción Transistor J-FET J112 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDS activado a voltaje de compuerta ON Aplicaciones: Administración...