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Transistor IRG4BC40KFPBF Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 42A

Transistor IRG4BC40KFPBF Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 42A

TRAIRG4BC40KFPBF

$ 120.00 MXN

Precio Regular: $ 135.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRG4BC40KFPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Clasificación de cortocircuito ultrarrápida
  • Optimizado para altas frecuencias operativas > 5,0 GHz
  • Generación 4 IGBT
  • Aplicaciones: HVAC, electrónica de consumo, administración de potencia, aplicaciones de inversores que reducen la pérdida de conmutación y por lo tanto, mejoran la eficiencia energética

Información Básica

  • Tipo transistor: IGBT
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de colector emisor V(br)ceo: 600 V
  • Tensión de saturación colector emisor Vce(on): 2.1 V
  • Corriente continua de colector IC (Tc=25°C):  42 A
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 160 W
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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