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Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 A

Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 A

TRAIXGH30N60B

$ 153.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar IXGH30N60B  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 
  • Aplicaciones: Control de velocidad del motor de CA, servomotores de CC y unidades de robot, choppers de CC, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) , fuentes de alimentación conmutadas y en modo resonante

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
    • Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V
    • Corriente continua de colector IC (Tc=25°C): 60 A
    • Corriente de colector pulsada ICM: 120 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 200 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-247
    • Número de pines: 3

      Sustituto

      No Aplica

       

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