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Semiconductores
$ 8.00
$ 13.00
Descripción Transistor KTA1271 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de alta corriente tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KTC3203 Aplicaciones: De alta corriente Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector a base VCBO: -35 V Voltaje...
$ 13.00
Descripción El Transistor KTA1659 de alta potencia de silicio PNP diseñado para su uso en aplicaciones de la salida vertical de TV. Transistor de silicio epitaxial Alta frecuencia de transmisión: 100 MHz Salida de desviación vertical de TV Su complementario es KTC4370/A Aplicaciones: Amplificador de potencia de alto voltaje Información...
$ 14.00
Descripción Transistor KTB1366Y esta diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general, tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor PNP de triple difusión Su complemento es KTD2058 Aplicaciones: Propósito general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector a base VCBO: -60 V Voltaje colector a...
$ 19.00
$ 25.00
Descripción Transistor KTC2026 esta diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KAT1046 Aplicaciones: Propósito general Información Básica Polaridad del transistor:...
$ 5.00
$ 9.00
Descripción Transistor pequeña señal TO-92. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 35 V Corriente de colector IC: 800 mA Temperatura de operación mínima: -55 °C Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-92 3 pines Sustituto NTE382 2SC2236 2SD400 2SD666 2SD667 BC635 BC639 KTC3203Y Documentación Datasheet...
$ 4.00
Descripción Transistor KTC3875 diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KTA1504 Aplicaciones: Propósito general y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN...
$ 59.00
Descripción El KTD2058 es un transistor de silicio complementario NPN de 80 V diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Bajo voltaje de...
$ 93.00
Descripción El transistor M50D060S de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia. transistor El transistor M50D060S IGBT...
$ 39.00
$ 57.00
Descripción Transistor MD1803DFH Tipo T se fabrica utilizando la tecnología Diffused Coleccionista adoptando una estructura de alta tensión mejorada. La nueva serie MD muestra una eficacia de rendimiento actualizada en la etapa de deflexión horizontal. Rendimiento más estable frente a funcionamiento variación de temperatura Bajo requerimiento de unidad de base Trayectoria...
$ 39.00
$ 60.00
Descripción El MD2310FX es un transistor de alto voltaje NPN para pantalla CRT de definición estándar. La nueva serie MD usa un programa de eficiencia con rendimiento actualizado en la etapa de deflexión horizontal, tensión de saturación rápidos tiempos de conmutación y de muy baja lo que resulta en la...
$ 19.00
Descripción El MDF7N65 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales y diseñado para conmutación de alta velocidad y aplicaciones...
$ 21.00
Descripción El transistor ME15N10-G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 339.00
Descripción El MJ10000 es un transistor darlington de potencia de silicio NPN con diodo de aceleración del emisor base., diseñado para uso en alta tensión, alta velocidad, conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico y adecuado para aplicaciones de modo de conmutación en línea....
$ 530.00
Descripción El MJ11016G es un transistor de potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida del amplificador en aplicaciones de propósito general complementarios. El transistor tiene una construcción monolítica con resistencia de derivación base-emisor incorporado. Alta ganancia de corriente DC Voltaje base colector (Vcbo = 120V) Voltaje de...
$ 162.00
Descripción Transistor MJ15001 ON potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Área de operación segura alta Para diseños complementarios de baja distorsión Alta ganancia de corriente DC Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base...
$ 350.00
Descripción Transistor MJ15002 ON potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Área de operación segura alta Para diseños complementarios de baja distorsión Alta ganancia de corriente DC Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...
$ 342.00
Descripción El MJ15015 es un transistor de silicio NPN complementario de energía de 120 V diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, motor paso a paso y otras aplicaciones lineales. Estos dispositivos también se pueden utilizar en circuitos de conmutación de potencia como controladores de relé...
$ 200.00
Descripción El MJ15016G es un transistor de silicio PNP bipolar complementario de alta potencia -120V diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. El transistor se puede utilizar también en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o...
$ 330.00
Descripción El MJ15022G que es un transistor de silicio NPN de potencia con excelente zona de funcionamiento segura. Diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales que cuenta con alta ganancia de corriente DC, excelente zona de funcionamiento...
$ 60.00
Descripción Transistor de potencia MJ15023 de silicio PNP con excelente y segura zona de funcionamiento diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. Cuenta con alta ganancia de corriente DC. Área de operación segura alta (100% probado)...