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Semiconductores
$ 65.00
Descripción El MJE15032G es un transistor de energía diseñado para su uso como conductores de alta frecuencia en amplificadores de audio con alta ganancia de corriente DC y con gran ancho de banda de ganancia actual. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del...
$ 62.00
Descripción El MJE15033G es un transistor de potencia PNP diseñado para usarse como un controlador de alta frecuencia en amplificadores de audio. Alto ancho de banda de ganancia actual y alta ganancia de corriente DC. Alta ganancia de corriente CC Ganancia de alta corriente: producto de ancho de banda Paquete...
$ 78.00
Descripción Transistor MJE15035 Tipo T diseñado para su uso como controlador de alta frecuencia en aplicaciones de amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 350 V Voltaje colector emisor VCEO: 350 V Voltaje...
$ 27.00
$ 38.00
Descripción Transistor MJE171 media potencia, diseñado para su uso como amplificador de audio de baja potencia y aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja corriente. Alta ganancia de corriente DC Alta corriente de ganancia - Producto de ancho de banda Construcción anular para escapes bajos Aplicaciones: Audio, industrial Información...
$ 28.00
Descripción El MJE243G es un transistor de silicio NPN de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general de alta tensión. Alto voltaje de sostenimiento colector-emisor Alta ganancia de corriente DC Bajo voltaje de saturación del emisor del colector Alto ancho de banda de ganancia actual Libre de plomo Aplicaciones:...
$ 20.00
Descripción El MJE253G e s un transistor de silicio NPN de potencia que se usa en aplicaciones de propósito general de alta tensión. Alto voltaje sustentador de colector-emisor Alta ganancia de corriente CC en IC = 200 mA Bajo voltaje de saturación colector-emisor Producto de gran ancho de banda de ganancia actual Libre de plomo Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores...
$ 28.00
Descripción El MJE2955T es un transistor de energía destinado a los circuitos de conmutación de potencia y amplificadores de propósito general. Tensión de saturación rápida y y un voltaje de saturación muy bajo que da como resultado pérdidas de conmutación y conducción reducidas. Complementario al MJE3055T Parámetro hFE bien controlado...
$ 31.00
Descripción El MJE3055T es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de propósito general y aplicaciones de conmutación. El MJE2955T (PNP) y MJE3055T (NPN) son dispositivos complementarios. Ganancia actual especificada a 10A Alta ganancia de corriente - ancho de banda Colector de 70VDC a voltaje base (VCBO)...
$ 22.00
Descripción El MJE340 es un transistor de silicio NPN de potencia medio plástico para su uso con aplicaciones de propósito general de alta tensión. tensión colector-emisor a 300 V y la disipación de potencia a 20W. Adecuado para equipos operados por línea sin transformador Voltaje de la base del emisor...
$ 37.00
Descripción Transistor MJE350 media potencia diseñado para ser utilizado en aplicaciones tales como reguladores de paso de serie y de conmutación de baja potencia, operados en línea que requieren capacidad PNP. Voltaje base colector (Vcbo = 300V) Voltaje de la base del emisor (Vebo = 3V) Aplicaciones: Industrial, Administración de...
$ 45.00
$ 60.00
Descripción El transistor Darlington MJE5740 diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de alta tensión en circuitos inductivos. Darlington Aplicaciones: Encendido del motor pequeño, reguladores de conmutación, inversores, solenoide y controladores de relé, control del motor Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 600...
$ 12.00
Descripción El MJE800G es un transistor Darlington bipolar de potencia 4A NPN diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad. El transistor en NPN empieza a conducir cuando la unión base emisor es polarizada en directo (Fluye corriente de la base al emisor). El emisor...
$ 50.00
Descripción El MJL1302AG es un transistor de potencia complementario bipolar PNP de -260 V diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta gama y en amplificadores de audio profesionales, como sistemas de sonido para teatros y estadios, y sistemas de megafonía. Área de operación segura excepcional Excelente linealidad...
$ 209.00
Descripción El MJL3281A es un transistor de potencia PowerBase diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Aplicaciones: Diseñado para una frecuencia de audio de 100 W Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor VCEO: 200 V Voltaje...
$ 5.00
Descripción Él MMBT2222ALT1G es un transistor bipolar del silicio de NPN, diseñado para el uso en aplicaciones lineares, de montaje de la superficie de la energía más baja y de la conmutación. Sin halógenos / sin BFR AEC-Q101 Calificado y con capacidad PPAP Información Básica Polaridad: NPN Tensión colector emisor...
$ 11.00
Descripción Transistor MMD60R900P es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de súper unión de magnachip que puede realizar una carga de puerta y una resistencia de encendido muy baja. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles...
$ 59.00
Descripción Transistor MN2488 de potencia diseñado para amplificadores de uso general, conmutación de baja frecuencia y aplicaciones de control de motores. Darlington Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector-base VCBO: 160 V Voltaje colector-emisor VCEO: 150 V Corriente colector: 10 A Corriente base: 1 A Disipación: 150 W Temperatura de operación...
$ 81.00
Descripción Transistor MP1620 potencia darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder. Darlington Alto voltaje de ruptura Aplicaciones: Amplificación de poder Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: - 160 V Voltaje colector emisor VCEO: -150 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente colector Ic:...
$ 27.00
Descripción Transistor MPF102 pequeñas señal amplificador JFET diseñado para aplicaciones de conmutación electrónica tales como conmutación analógica de baja resistencia ON. Información Básica Polaridad del transistor: Canal-N Voltaje drenaje compuerta VDG: 25 V Voltaje compuerta fuente VGS: -25 V Corriente compuerta: 10 mA Disipación total: 350 mW Temperatura de operación...
$ 6.00
Descripción Transistor MPS2907AG de pequeña señal diseñado para su uso como interruptor y amplificador de audio. Cumple con la clasificación de inflamabilidad UL94V-0 Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje de colector emisor VCEO: -40 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V...