$ 12.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El MJE800G es un transistor Darlington bipolar de potencia 4A NPN diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general y conmutación de baja velocidad. El transistor en NPN empieza a conducir cuando la unión base emisor es polarizada en   directo (Fluye corriente de la base al emisor). El emisor está conectado al negativo de la   batería y la base a un voltaje positivo pero menor que el de la batería.


  • Darlington
  • Construcción monolítica con resistencias de emisor de base incorporadas para limitar la multiplicación de fugas
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 60 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 60 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Corriente de colector Ic : 4 A
  • Disipación de potencia Pc ( Tc=25°C): 50 W
  • Ganancia de corriente DC hFE: 750 hFE
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO−225
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE253  2N6039

 

Documentación 

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