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Transistor MMD60R900PBRH Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 4.5 A

Transistor MMD60R900PBRH Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 4.5 A

TRAMMD60R900PBRH

$ 11.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor MMD60R900P es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de súper unión de magnachip que puede realizar una carga de puerta y una resistencia de encendido muy baja. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen a los diseñadores la ventaja de una EMI baja, así como una baja pérdida de conmutación. 
  • Baja pérdida de energía por conmutación de alta velocidad y baja resistencia al encendido
  • Probado contra avalanchas al 100%
  • Paquete ecológico revestimiento sin plomo, sin halógenos
  • Aplicaciones: Etapas de suministro de energía PFC, aplicaciones de conmutación, adaptador, control de motor, convertidores CC-CC
     

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 4.5 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 38 W
    • Resistencia de activación RDS(on): 0.9 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-252 (D-PAK)
    • Número de pines: 2

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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