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Semiconductores
$ 334.00
Descripción EL MJ15023G es un transistor de potencia de silicio PNP con excelente y segura zona de funcionamiento diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. Cuenta con alta ganancia de corriente DC. Área de operación segura...
$ 50.00
Descripción El MJ21193G es un transistor de energía -250V, de silicio, PNP, bipolar que utiliza la tecnología emisor perforada y está diseñado específicamente para su uso en aplicaciones de salida de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza de disco y aplicaciones lineales. Distorsión armónica total caracterizada Alta ganancia...
$ 95.00
$ 120.00
Descripción El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V diseñado para usarse en aplicaciones de propósito general de conmutación y de amplificador. Voltaje máximo de saturación de colector a emisor (VCE (sat)) de 1.1V Voltaje de colector-base de -100V Voltaje de emisor-base de -7V Corriente...
Agotado
$ 40.00
$ 55.00
Descripción Transistor MJ3001 potencia diseñado para su uso omo dispositivos de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general. Alta ganancia de corriente CC - hFE = 4000 (Typ) @ IC = 5.0 Adc Construcción monolítica con resistores de derivación de emisor de base incorporados Información Básica Polaridad: NPN...
$ 150.00
$ 300.00
Descripción Transistor MJ4502G potencia marca ON diseñado para su uso en amplificadores de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación de música. Excelente ganancia de corriente CC Ancho de banda de ganancia de alta corriente Voltaje de saturación colector-emisor bajo Corriente de fuga baja Información Básica Polaridad del...
$ 85.00
Descripción El MJ802 es un transistor de potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida de los amplificadores de audio complementarios a 100W de potencia por canal de música. Alta ganancia de corriente CC - hFE = 25–100 @ IC = 7.5 A Excelente área de operación segura...
$ 35.00
$ 50.00
Descripción El MJD122G es un transistor de potencia darlington complementario, bipolar, de 100V con polaridad NPN diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Este transistor es reemplazo de montaje superficial para la serie 2N6040-2N6045, serie TIP120-TIP122 y serie TIP125-TIP127 también tiene construcción monolítica con...
$ 39.00
$ 48.00
Descripción El MJE12007 es un transistor de potencia NPN multiepitaxial de silicio montado en el paquete de plástico TO-220, diseñado para su uso en control de motores, reguladores de conmutación, etc. Alta capacidad de corriente Aplicaciones: Reguladores de conmutación, control de motor Información Básica Polaridad del transistor: NPN: Voltaje colector...
$ 4.00
Descripción Transistor MJE13001 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de energía. Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 600 V Tensión colector emisor VEBO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 7 V Corriente de colector DC Ic: 200 mA Disipación de potencia Pc...
$ 9.00
Descripción Transistor MJE13003G media potencia diseñado para circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta tensión y alta velocidad donde el tiempo de caída es crítico. Son especialmente adecuados para aplicaciones de MODO DE INTERRUPTOR de 115 y 220 V. Aplicaciones: Reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, solenoides...
$ 18.00
Descripción Transistor MJE13004 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad Aplicaciones: Regulador de conmutación, control del motor Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje de colector emisor: VCBO: 600 V Voltaje colector emisor VCEO: 300 V Voltaje emisor...
$ 18.00
Descripción El MJE13005-2 es un transistor diseñado para su uso en circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta velocidad y alto voltaje donde el tiempo de caída es crítico. Son particularmente adecuados para aplicaciones SWITCHMODE de 115 y 220 V, como reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, controladores...
$ 23.00
$ 32.00
Descripción Transistor MJE13006 Tipo T diseñado para alta tensión,velocidad que conmutación en los circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de conmutación de modo 115V y 220V, tales como reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, controladores de solenoide / relé...
$ 14.00
Descripción El MJE13007A es un transistor diseñado para la alta tensión y la potencia de alta velocidad de conmutación de circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Es especialmente adecuado para aplicaciones de 220V y 115V en modo de conmutación, tales como reguladores de conmutación, inversores, controles de...
$ 16.00
Descripción Transistor MJE13009G Tipo T diseñado para su uso en circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta tensión y alta velocidad donde el tiempo de caída es crítico. Este dispositivo es especialmente adecuado para aplicaciones de modo de conmutación de 115 y 220V, como reguladores de conmutación, inversores, controles...
$ 18.00
Descripción Transistor MJE15028 Tipo T diseñado para su uso como controlador de alta frecuencia en amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 150 V Voltaje colector emisor VCEO: 150 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 13.00
Descripción Transistor MJE15029 Tipo T diseñado para uso en controladores de alta frecuencia en aplicaciones de amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -150 V Voltaje colector emisor VCEO: -150 V Voltaje emisor...
$ 31.00
Descripción El MJE15030 es un transistor de silicio diseñado para su uso como conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Ganancia de corriente CC (hfe = 20 mínimo en Ic = 4A) Voltaje de sostenimiento colector-emisor (Vceo (sus) = 150V mínimo) Alta ganancia de corriente Ato ancho de banda Aplicaciones:...
$ 61.00
Descripción El MJE15030G es un transistor de silicio diseñado para su uso como conductores de alta frecuencia en amplificadores de audio. Alto ancho de banda de ganancia actual Voltaje de la base del colector (Vcbo = 150V) Voltaje de la base del emisor (Vcbo = 5V) Información Básica Polaridad del...
$ 54.00
Descripción El MJE15031G es un transistor bipolar de potencia diseñado para su uso como conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Gran ancho de banda de ganancia de corriente. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...