Transistor MJE253G Media Potencia semiconductor refacciones electronicas componentes electronicos todo en electronica tienda de electronica en Torreon tienda en linea en Mexico mecatronica robotica computacion audio reparacion de aparatos electronicos cmos ttls transistores resistencias capacitores accesorios proyectos diodos arduino sparkfun pololu circuito integrado voltaje amperaje corriente

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Telefonía

$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Cantidad

Descripción

Descripción

El MJE253G e s un transistor de silicio NPN de potencia que se usa en aplicaciones de propósito general de alta tensión.

Alto voltaje sustentador de colector-emisor
Alta ganancia de corriente CC en IC = 200 mA
Bajo voltaje de saturación colector-emisor
Producto de gran ancho de banda de ganancia actual
Libre de plomo
Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores de alta velocidad, convertidores

Información Básica

Polaridad del transistor: PNP
Voltaje de colector-emisor V(br)ceo: -100 V
Corriente de colector DC Ic: -4 A
Disipación de potencia (Tc=25°C): 15 W
Frecuencia de transición ft: 40 MHz
Ganancia de corriente DC hFE: 40 hFE
Temperatura de operación mínima: -65 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-126
Número de pines: 3