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Transistor MJ11016G ON Potencia

Transistor MJ11016G ON Potencia

TRAMJ11016G

$ 530.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El MJ11016G es un transistor de  potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida del amplificador en aplicaciones de propósito general complementarios. El transistor tiene una construcción monolítica con resistencia de derivación base-emisor incorporado.

 

  • Alta ganancia de corriente DC
  • Voltaje base colector (Vcbo = 120V)
  • Voltaje de la base del emisor (Vcbo = 5V)
  • Darlington
  • Aplicaciones: Industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 120 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 120 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 6 V
  • Corriente colector Ic: 30 A
  • Disipación colector Pc (Tc=25°C): 200 W
  • Ganancia de corriente hFE: 1000
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-3
  • 2 pines

Sustituto

NTE2349   MJ11032

 

Documentación

Datasheet

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