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Transistor IRG7S313U Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 330 V 40 A

Transistor IRG7S313U Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 330 V 40 A

TRAIRG7S313U

$ 49.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Este IGBT IRG7S313U está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

  • Temperatura de unión operativa de 150 ° C
  • Alta capacidad de corriente pico repetitiva
  • Dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones PDPa
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

  • Tipo de transistor: IGBT
  • Voltaje colector-emisor V (br) ceo: 330 V
  • T: 2.14 V
  • Corriente de colector DC: 40 A
  • Disipación de potencia Pd: 78 W
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -40 ° C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Encapsulado: TO-263

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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