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Transistor IXTP80N10T Mosfet TO220 CH-N 100 V 80 A

Transistor IXTP80N10T Mosfet TO220 CH-N 100 V 80 A

TRAIXTP80N10T

$ 33.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IXTP80N10T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Conversión DC / DC y UPS fuera de línea
  • Bus de energía 42V
  • Sistemas de ABS
  • Automotor
         - Unidades motrices
         - Conversión DC / DC
         - Bus de energía 42V
         - Sistemas de ABS
  • Convertidores DC / DC y UPS fuera de línea
  • Interruptor primario para 24V y 48V
  • Aplicaciones de conmutación de alta corriente
  • Sistemas electrónicos de trenes de válvulas
  • Capacidad de manejo de alta corriente

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 80 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 220 A
  • Corriente de avalancha IAR: 25 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 230 W
  • Resistencia de activación RDS (on) máxima: 0.014 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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