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Transistor IXTP50N25T Mosfet TO220 CH-N 250 V 50 A

Transistor IXTP50N25T Mosfet TO220 CH-N 250 V 50 A

TRAIXTP50N25T

$ 130.00 MXN

Precio Regular: $ 155.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IXTP50N25T  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. El IXTP50N25T es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N PolarHV con capacidad de avalancha y baja inductancia.
 
  • Densidad de alta potencia
  • Fácil de montar
  • Fácil de conducir y proteger
  • Ahorro de espacio
  • Aplicaciones: Conmutación de potencia de alta velocidad

Información Básica

    • Polaridad de transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 250 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 250 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 50 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 130 A
    • Disipación de potencia máxima PD: 400 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.060 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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