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Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 A

Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 A

TRAIRG4BC30FDPBF

$ 120.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRG4BC30KDPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El IRG4BC30 es un transistor bipolar de puerta aislada optimizado para un voltaje de saturación mínimo y bajas frecuencias de operación.1kHz). El diseño de generación 4 IGBT proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3.

  • Aplicaciones: HVAC, electrónica de consumo, administración de potencia

Información Básica

  • Tipo de transistor: IGBT
  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje  colector-emisor V (br) ceo: 600 V
  • Tensión de saturación colector emisor Vce(on): 1.99 V
  • Corriente de colector DC: 16 A
  • Disipación de potencia Pd: 100 W
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
  • Encapsulado: TO-220AB
  • Número de pines: 3
  • Modelo: 38K2905

Sustituto

IRG4BC40KFPBF

Documentación

Datasheet

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