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Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A

Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A

TRAIRG4PC40U

$ 78.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRG4PC40U es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 60 kHz con diodo de recuperación de software, proceso de conmutación dura optimizado para alta frecuencia de funcionamiento. Generación 4 diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia de la generación 3. HEXFRED diodos optimizados para un rendimiento y usados en configuraciones de puente.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 

  • Ultra rápido: Optimizado para un funcionamiento elevado  frecuencias de 8-40 kHz en conmutación dura,> 200   kHz en modo resonante
  • Diseño IGBT de la generación 4 proporciona una mayor rigidez y   distribución de parámetros y mayor eficiencia que la   generación 3
  • Aplicaciones: Administración de potencia, energía alternativa, industrial  

Información Básica

  • Rango de Producto: IRG4 Series
  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de colector-emisor V(br)ceo: 600 V
  • Tensión de saturación colector-emisor Vce(on): 2.15 V
  • Corriente continua colector Ic ( TC= 25°C): 40 A
  • Corriente continua colector Ic ( TC= 100°:C) 20 A
  • Disipación de potencia Pd ( Tc= 25°C): 160 W
  • Disipación de potencia Pd (Tc= 100°C): 65 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines 

Sustituto

NTE3322   NTE3311

Documentación

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