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Semiconductores

Transistor DTC144 Pequeña Señal
Transistor DTC144 Pequeña SeñalSKU: TRADTC144

$ 8.00

Descripción Transistor DTC144 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 50 V Corriente colector: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto NTE2359 Documentación Datasheet    

Transistor EM7056 Media Potencia
Transistor EM7056 Media PotenciaSKU: TRAEM7056

$ 8.00 $ 15.00

Descripción Transistor EM7056 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de etapas de salida de video en receptores de televisión. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 160 V Voltaje colector emisor VCEO: 160 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector Ic:  300 mA Temperatura de...

Transistor ET382 TO220F
Transistor ET382 TO220FSKU: TRAET382

$ 30.00

Descripción Transistor ET382 Darligton es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y al poder estar todo...

Transistor FCD7N60TM Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 7 A 34M6099
Transistor FCD7N60TM Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 7 A 34M6099SKU: TRAFCD7N60TM

$ 63.00

Descripción El FCD7N60TM es un MOSFET de super-unión de alto voltaje SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de balance de carga para una excelente resistencia ON y un menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación...

Transistor FDA59N25 Mosfet Potencia CH-N 250 V 59 A 04M9075
Transistor FDA59N25 Mosfet Potencia CH-N 250 V 59 A 04M9075SKU: TRAFDA59N25

$ 95.00 $ 150.00

Descripción Transistor mosfet FDA59N25 de potencia UniFET TMMOSFET es Fairchild Semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología de banda plana y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia en el estado y proporcionar mejor rendimiento de conmutación y mayor avalancha energía. Esta familia de dispositivos es adecuada...

Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023
Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023SKU: TRAFDB2532

$ 80.00 $ 145.00

Descripción El transistor FDB2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDB2532 es un MOSFET de canal N...

Transistor FDD6637 Mosfet Pequeña Señal CH-P -35 V 13 A 75M2457
Transistor FDD6637 Mosfet Pequeña Señal CH-P -35 V 13 A 75M2457SKU: TRAFDD6637

$ 65.00 $ 78.00

Descripción El transistor FDD6637 es un MOSFET PowerTrench de canal P de -35V que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia de estado y mantener la carga de la puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild se compone de...

Transistor FDD8447L Mosfet Pequeña Señal CH-N 40 V 15.2 A
Transistor FDD8447L Mosfet Pequeña Señal CH-N 40 V 15.2 ASKU: TRAFDD8447L

$ 50.00

Descripción Transistor mosfet FDD8447L de pequeña señal de tecnología  PowerTrench® de 40 V de canal N que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior.    El MOSFET de potencia de media tensión más...

Transistor FDP12N50FT Mosfet TO220 CH-N 500 V 11.5 A
Transistor FDP12N50FT Mosfet TO220 CH-N 500 V 11.5 ASKU: TRAFDP12N50FT

$ 34.00

Descripción El transistor FDP12N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FDP20N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 20 A
Transistor FDP20N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 20 ASKU: TRAFDP20N50

$ 378.00

Descripción Transistor mosfet FDP20N50F de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 A
Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 ASKU: TRAFDP2532

$ 139.00

Descripción El transistor FDP2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   El FDP2532 es un MOSFET de canal...

Transistor FDP33N25 Mosfet TO220 CH-N 250 V 33 A
Transistor FDP33N25 Mosfet TO220 CH-N 250 V 33 ASKU: TRAFDP33N25

$ 75.00

Descripción El transistor mosfet FDP33N25 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales...

Transistor FDPF8N50NZ Mosfet TO220 CH-N 500V 8A 25AC9559
Transistor FDPF8N50NZ Mosfet TO220 CH-N 500V 8A 25AC9559SKU: TRAFDPF8N50NZ

$ 145.00

Descripción El transistor FDPF8N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El Transistor FDPF8N50NZ Mosfet ha sido especialmente diseñada...

Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 A
Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 ASKU: CIRFDS4435BZ

$ 99.00

Descripción El FDS4435BZ es un mosfet de canal P de -30 V diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. Es un MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que...

Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432
Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432SKU: TRAFDS6673BZ

$ 49.00 $ 80.00

Descripción Transistor mosfet FDS6673BZ   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales...

Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181
Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181SKU: TRAFDS8928A

$ 45.00 $ 90.00

Descripción El transistor FDS8928A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185
Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185SKU: TRAFDS8958A

$ 11.00

Descripción El FDS8958A es un mosfet de canal doble N de 30 V y canal P que ha sido  diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild...

Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399
Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399SKU: TRAFDS8984

$ 30.00

Descripción El transistor FDS8984 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece...

Transistor FDS9435A Mosfet Pequeña Señal CH-P 30 V - 5.3 A 38C7185
Transistor FDS9435A Mosfet Pequeña Señal CH-P 30 V - 5.3 A 38C7185SKU: TRAFDS9435A

$ 25.00 $ 48.00

Descripción El FDS9435A es un MOSFET canal P de -30V PowerTrench® ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia...

Transistor FGH40N60UFTU Mosfet IGBT Potencia 600 V 80 A
Transistor FGH40N60UFTU Mosfet IGBT Potencia 600 V 80 ASKU: TRAFGH40N60UFTU

$ 105.00

Descripción El transistor bipolar FGH40N60UFTU de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...