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Transistor FQA38N30 Mosfet Potencia CH-N 300 V 38 A

Transistor FQA38N30 Mosfet Potencia CH-N 300 V 38 A

TRAFQA38N30

$ 54.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El mosfet FQA38N30  proporciona un rendimiento de conmutación superior, y un pulso de alta energía en el modo avalancha y conmutación. Estos dispositivos son adecuados para la conversión de CC / CC de alta eficiencia, fuente de alimentación de modo de conmutación.


  • Cambio rápido
  • Avalancha probado al 100%
  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia, fuentes de lámparas  basado en la topología de medio puente

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente de drenaje Id: 38.4 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 153.6 A
  • Corriente de avalancha: 38.4 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C): 290 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.065ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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