Inicio » Semiconductores
» Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 A
Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 A

Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 A

TRAFQA24N50F

$ 98.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El FQA24N50 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


    • 24 A, 500 V, RDS (encendido) = 0,2 Ω @ VGS = 10 V
    • Carga de puerta baja (típico 90 nC)
    • Crss baja (típico 55 pF)
    • Rápida conmutación
    • 100% probado contra avalanchas
    • Capacidad dv / dt mejorada
    • Diodo de cuerpo de recuperación rápida (máx., 250 ns)
    • Aplicaciones: Administración de potencia, iluminación, audio, control de motor

    Información Básica

      • Polaridad del transistor: Canal N
      • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
      • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
      • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 24 A
      • Corriente de drenaje pulsada IDP: 96 A
      • Corriente de avalancha IAR: 24 A
      • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 290 W
      • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.22 Ohms
      • Temperatura de operación mínima: -55 °C
      • Temperatura de operación máxima: 150 °C
      • Encapsulado: TO-3P
      • Número de pines: 3

      Sustituto

      No aplica

      Documentación

      Datasheet

      Productos Relacionados

      Comentarios